2025-01-07 21:54 来源：本站编辑
SK海力士的一位高层管理人士29日表示：“最近，在人工智能（AI）热潮的推动下，SK海力士在高带宽存储器（HBM）市场上取得了巨大的成功，其中一个关键因素是对先进芯片堆叠技术的早期投入。”
SK海力士副总裁金春焕在接受新闻编辑室采访时表示：“我们一直把研发重点放在稳定通硅通孔（TSV）技术和建设必要的基础设施上。”“最终我们成功量产了HBM。”
TSV是SK海力士HBM的核心技术之一，利用堆叠的DRAM芯片提供高速数据传输和低功耗，精确连接堆叠芯片的封装技术。
2009年，SK海力士预测到高性能存储器的需求将激增，并专注于TSV技术。四年后，该公司向市场推出了第一款HBM，为其在这一领域的领导地位奠定了基础。
1992年进入SK海力士的金氏，15年来一直致力于TSV的开发。
他说：“TSV是一种技术，通过在芯片上钻微小的孔，用电极连接顶部和底部的芯片，并将它们堆叠起来，从而实现高容量、高带宽。”“在开发的早期阶段，它非常具有挑战性，因为它需要高度的精度和精细的控制。”
目前，SK海力士推出了第五代HBM3E产品，在人工智能存储器市场占据主导地位。自今年3月以来，八层HBM3E产品已供应给英伟达公司（Nvidia Corp.），后者的人工智能加速器对人工智能计算至关重要。
这家芯片制造商计划在今年年底前推出最新的12层HBM3E芯片。16层的HBM4将于明年第一季度上市，第六代HBM4将于2025年下半年上市。(联合通讯社)
