2025-01-07 21:18 来源：本站编辑
三星电子，一个pio从来没进过半决赛随着全球存储器市场转向以人工智能（AI）为中心的技术，韩国半导体产业面临着重大挑战。
该公司三十年来作为世界领先的存储芯片制造商的统治地位正面临压力，主要原因是它对高带宽存储器（HBM）日益增长的需求反应迟缓。HBM是人工智能加速器的关键部件。
科技巨头进入半导体业务在1974年12月收购韩国半导体已故董事长李健熙的愿景下,很快确立了自己作为一个行业的领导者。
1983年，该公司开发了首款64千字节的DRAM，为1992年业界首款64兆字节的DRAM和1996年世界上首款1千兆位的DRAM等突破铺平了道路。
三星电子通过2011年20纳米（nm） DRAM、2016年10纳米（nm） DRAM、2022年全球首次量产3nm代工芯片等创新，一直保持着领先地位。
这些创新和世界第一的产品使三星电子在DRAM市场上占据了30年的霸主地位。
然而，人工智能革命引发的巨变扰乱了传统的内存市场，需求从通用DRAM转向HBM等人工智能优化芯片。
三星电子没有做好准备，对HBM的投资比竞争对手少。
相反，SK海力士积极投资于该技术，通过向人工智能加速器领域的霸主英伟达（Nvidia）供应HBM芯片，获得了近乎垄断的地位。
根据最近的市场数据，三星电子在2024年第三季度以41.1%的市场占有率占据了DRAM市场的首位，比HBM市场开放前的2022年底的45.1%略有下降。
而SK海力士的市场占有率则因HBM芯片的热销，从去年同期的27.7%上升到了34.4%。
这种市场形势促使三星电子罕见地就令人失望的业绩和公司在10月份发布第三季度业绩后面临的经营危机发表了公开道歉。
尤金投资证券分析师李承宇（音）表示：“三星电子的‘尖端技术’形象因HBM显示的竞争力下降而受到损害。”
“三星恢复基本竞争力可能需要比预期更长的时间，但这是一个积极变化的开始，因为它正在谈论问题，而不是隐藏问题。”
为了重新获得优势，三星电子为了缩小与竞争对手的差距，将重点转向了HBM开发。
三星电子计划首先向英伟达交付第五代HBM3E，并从明年下半年开始批量生产第六代HBM4。
与此同时，三星电子正在扩大对AI服务器所必需的计算快速连接（express meta）、内存进程（process-in-memory）、企业固态硬盘（ssd）等新兴存储技术的投资。
专家指出，该公司的挑战始于技术上的自满，强调需要在公司内部创造一个自由、开放的氛围，重建对行业的信任。
“当务之急是重建行业内的信任和团结，而不是长期投资，”首尔尚明大学（Sangmyung University）工商管理教授徐志勇（Seo Ji-yong）说。他强调了促进公开讨论和向SK海力士（SK hynix）和台积电（TSMC）等竞争对手学习的重要性。(联合通讯社)
